| Marca | Infineon |
| Producto | FP75R12KT4 |
| Descripción | Módulo de silicio IGBT |
| Código interno | IMP4672783 |
| Especificación técnica | Configuración: trifásica Tensión máxima del colector y emisor VCEO: 1200 V Voltaje de saturación del colector-emisor: 2.25 V Corriente de colector continua a 25 C: 150 A Corriente de fuga de compuerta y emisor: 100 nA Pd - Disipación de potencia: 385 W |
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